文献

J-GLOBAL ID：201202263972965063   整理番号：12A0023464

高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御

Epitaxial Growth and Defect Control of SiC for High-Voltage Power Devices

著者 (2件)： 木本恒暢 (京都大学工学研究科電子工学専攻) ,  須田淳 (京都大学工学研究科電子工学専攻)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 54  号： 6  ページ： 362-368 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高耐圧パワーデバイスの開発に向けた炭化ケイ素(SiC)の高速エピタキシャル成長および欠陥制御における最近の進歩を概説した。オフアクシス(0001)上での4H-SiCに化学蒸着において,85μm/hの高い成長速度と,1×10¹³cm^-3の低バックグラウンドとを達成した。エピタキシャル成長の間における,基底面転位から貫通刃状転位への変換ならびに積層欠陥の発生を論じた。成長したままのn型およびp型4H-SiCエピタキシャル層における深い準位を調べた。寿命を縮める欠陥(Z_1/2中心)は,熱酸化によってほぼ消去できて,それにより,キャリア寿命の有意な延長をもたらすことができた。このようにして得たキャリア寿命は,10kV級バイポーラ素子の製造に対して十分に長いことを記した。低エネルギー電子照射によるキャリア寿命の制御を論証した。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  化合物半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  *貫通転位 ,  *エピタクシー ,  六方晶系 ,  化学蒸着 ,  *刃状転位 ,  *積層欠陥 ,  干渉顕微鏡 ,  深い準位 ,  キャリア寿命 ,  キャリア密度 ,  依存性 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  深準位過渡分光法 ,  成長速度 ,  結晶方位 ,  電子照射 ,  組成依存性 ,  結晶成長速度 ,  微分干渉顕微鏡 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： Nomarski型微分干渉顕微鏡 ,  パワーデバイス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (51件)：

• 1) H. Matsunami and T. Kimoto: Mat. Sci. & Eng., <b>R20</b> (1997) 125.
• 2) H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 7565.
• 3) A. R. Verma and P. Krishna: <i>Polymorphysim and Polytypism in Crystals</i> (John Wiley & Sons, Inc., New York, 1966).
• 4) Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Crystal Growth, 52 (1981) 146.
• 5) N. Kuroda, K. Shibahara, W. S. Yoo, S. Nishino and H. Matsunami: Ext. Abstr. 19th Solid State Devices and Materials (Tokyo, 1987), p. 227.

タイトルに関連する用語 (6件)： 高耐圧 ,  パワーデバイス ,  応用 ,  SiC ,  エピタキシャル成長 ,  欠陥