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J-GLOBAL ID：201202264009174286   整理番号：12A0652083

3元マグネトロン同時スパッタリングによる半Heusler La-Pt-Bi薄膜の構造および電気特性

Structural and electrical properties of half-Heusler La-Pt-Bi thin films grown by 3-source magnetron co-sputtering

著者 (7件)： MIYAWAKI Tetsuya (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...) ,  SUGIMOTO Nozomi (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...) ,  FUKATANI Naoto (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...) ,  YOSHIHARA Tatsuhiko (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...) ,  UEDA Kenji (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...) ,  TANAKA Nobuo (EcoTopia Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  ASANO Hidefumi (Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07E327-07E327-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半Heusler La-Pt-Bi薄膜をYAlO₃(001)上に3元マグネトロン同時スパッタリングにより堆積した。Bi濃度の制御は単相,c軸配向薄膜を得るための重要な要素である。第2相の発生は堆積温度の調整と同様に分離したターゲットに対する堆積速度の正確な制御によって効果的に防ぐことができる。単相LaPtBi薄膜の実現はHeusler合金を基にしたトポロジカル絶縁デバイスの新しい可能性ある応用を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 絶縁膜 ,  絶縁材料 ,  *ランタン合金 ,  結晶構造 ,  電気特性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ビスマス含有合金 ,  白金含有合金 ,  *スパッタ蒸着 ,  *金属薄膜 ,  *配向 ,  ホイスラー合金 ,  スパッタリング ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 半ホイスラー合金 ,  共スパッタリング

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロン ,  同時スパッタリング ,  La ,  Pt ,  Bi ,  薄膜 ,  電気特性