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J-GLOBAL ID：201202264211388638   整理番号：12A1437092

プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の膜構造に対するパルスバイアス印加効果

著者 (5件)： 九鬼淳 (名大 院) ,  YU Leyong (名大 院) ,  近藤博基 (名大 院) ,  関根誠 (名大 院) ,  堀勝 (名大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13A-E2-10  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *薄膜成長 ,  膜構造 ,  堆積速度 ,  稼働率 ,  比率 ,  Ramanスペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  *炭素 ,  プラズマ源 ,  アルカン
準シソーラス用語： *PECVD ,  *アモルファスカーボン ,  デューティ比 ,  蒸着速度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  励起 ,  化学気相堆積 ,  成長 ,  アモルファス ,  カーボン膜 ,  膜構造 ,  パルス ,  バイアス ,  印加