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J-GLOBAL ID：201202264216900612   整理番号：12A0341043

ゲートファーストIn_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのための熱的に安定な,サブナノメートル等酸化物厚みゲートスタック

Thermally stable, sub-nanometer equivalent oxide thickness gate stack for gate-first In_0.53Ga_0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

著者 (8件)： EL KAZZI M. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  CZORNOMAZ L. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  ROSSEL C. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  GERL C. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  CAIMI D. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  SIEGWART H. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  FOMPEYRINE J. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  MARCHIORI C. (IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 063505  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体(MOS)コンデンサを,p-In_0.53Ga_0.47As/InP(001)基板上に複合材料2nm HfO₂/1nm Al₂O₃/1nm a-Siゲートスタックを蒸着することによって製作した。Al₂O₃障壁層の存在のおかげで,製作プロセス全体の間に酸化するSi不動態化層は最少量である。コンデンサは最高550°Cでのポストメタライゼーション焼なましで縮尺等価酸化物厚み(EOT)0.89nm,中間ギャップ界面状態密度5×10¹¹eV^-1cm^-2の優れた電気的諸特性を表した。ゲートファースト,自己整合MOS電界効果トランジスタを,同様の5nm HfO₂/1nm Al₂O₃/1nm a-Siゲートスタックと隆起したソースとドレイン(600°C30分)によって製作した。スタックの優れた熱安定性のため,1.3nm EOTについて優れた容量対電圧特性と良好な移動度値(6.5×10¹²cm^-2のキャリア密度で1030cm²V^-1s^-1と740cm²V^-1s^-1にピーク)が実証するように,ゲートスタック/半導体界面の劣化は観察されなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  酸化物 ,  厚み ,  薄膜コンデンサ ,  リン化インジウム ,  基板 ,  複合材料 ,  酸化ハフニウム ,  アルミナ ,  アモルファスシリコン ,  蒸着膜 ,  被覆層 ,  不動態皮膜 ,  酸化 ,  メタライゼーション ,  焼なまし ,  エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  状態密度 ,  自己整合 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  熱安定性 ,  容量電圧特性 ,  移動度 ,  キャリア密度 ,  劣化
準シソーラス用語： MOSコンデンサ ,  *ゲートスタック ,  ナノメータ ,  界面状態密度 ,  障壁層 ,  中間ギャップ ,  不動態化膜

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  厚み ,  ゲートスタック