EL KAZZI M. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
CZORNOMAZ L. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
ROSSEL C. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
GERL C. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
CAIMI D. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
SIEGWART H. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
FOMPEYRINE J. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
MARCHIORI C. について
IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE について
Applied Physics Letters について
ゲート【半導体】 について
ヒ化ガリウムインジウム について
MOSFET について
酸化物 について
厚み について
薄膜コンデンサ について
リン化インジウム について
基板 について
複合材料 について
酸化ハフニウム について
アルミナ について
アモルファスシリコン について
蒸着膜 について
被覆層 について
不動態皮膜 について
酸化 について
メタライゼーション について
焼なまし について
エネルギーギャップ について
バンドギャップ について
状態密度 について
自己整合 について
ソース【半導体】 について
ドレイン【半導体】 について
熱安定性 について
容量電圧特性 について
移動度 について
キャリア密度 について
劣化 について
MOSコンデンサ について
ゲートスタック について
ナノメータ について
界面状態密度 について
障壁層 について
中間ギャップ について
不動態化膜 について
トランジスタ について
酸化物薄膜 について
ゲート について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について
厚み について
ゲートスタック について