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J-GLOBAL ID：201202264308166648   整理番号：12A0531438

GaN HEMTの物理ベースモデリング

Physics-Based Modeling of GaN HEMTs

著者 (9件)： VITANOV Stanislav (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT) ,  VITANOV Stanislav (Infineon Technol., Villach, AUT) ,  PALANKOVSKI Vassil (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT) ,  MAROLDT Stephan (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  QUAY Ruediger (Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU) ,  MURAD Saad (NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD) ,  MURAD Saad (Azzuro Semiconductors, Magdeburg, DEU) ,  ROEDLE Thomas (NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD) ,  SELBERHERR Siegfried (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 3  ページ： 685-693  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在AlGaN/GaN HEMTは量産段階にあるが,依然改良と最適化の余地がある。デバイスシミュレーションによってGaNベースHEMTを徹底的に調査した。構造と材料の特異性のために電子移動度の包括的流体力学モデルを開発し較正した。この方法に従って三種類の異なる独立したデバイス技術をシミュレートし比較した。そして,高ゲートバイアスにおける相互コンダクタンスg_mの顕著な減少についても研究した。研究の結果,相互コンダクタンスコラプスの主原因は,ソース-ゲート領域の電場プロファイルに起因する電子速度準飽和とゲート下の測度減少によるものであり,材料の特性によるものではないことがわかった。相互コンダクタンスは最適化によって改善可能であり,従ってデバイスの線形性も改善される。

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  計算機シミュレーション ,  キャリア移動度 ,  流体力学的模型 ,  相互コンダクタンス ,  *モデリング ,  シミュレータプログラム ,  ガリウム化合物 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GaN ,  シミュレーションソフトウェア ,  デバイスシミュレーション ,  電子移動度 ,  半導体素子モデリング ,  流体力学モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  HEMT ,  物理ベースモデリング