抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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走査型透過電子顕微鏡(STEM)像シミュレーションに対してBloch波法に基づく方法がAllenらによって開発され,弾性散乱係数からのHAADF,BSE,EELS,およびEDX STEM画像のシミュレーションが行なわれた。さらに,励起振幅と固有値方程式におけるブロック対角化を導出するための方式の利用によって,計算時間とメモリの低減がなされた。ここでは,析出物,欠陥,および原子変位などの不均質な構造を含む積層結晶に対してAllenらの手法を適用する手法を確立した。この手法は,積層構造の各層に対するAllenらのブロック対角化行列の積を計算することからなる。Si-Sb-Si多層構造に対し適用し,入射電子強度分布およびEDX STEM像を種々の条件に対し計算した。シミュレーションと実験結果の比較から,定量的な3次元構造の解析が可能であることが示された。