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J-GLOBAL ID：201202264426266860   整理番号：12A0583214

分子線エピタクシーによりSi(001)上に成長させた単結晶SrTiO₃における歪緩和

Strain relaxation in single crystal SrTiO₃ grown on Si (001) by molecular beam epitaxy

著者 (10件)： CHOI Miri (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  POSADAS Agham (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  DARGIS Rytis (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  SHIH Chih-kang (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  DEMKOV Alexander A. (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  TRIYOSO Dina H. (GLOBALFOUNDRIES, Advanced Module Technol. Dev., Dresden 01109, DEU) ,  DAVID THEODORE N. (Freescale Semiconductor, Inc., Tempe, Arizona 85284, USA) ,  DUBOURDIEU Catherine (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  BRULEY John (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  JORDAN-SWEET Jean (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 6  ページ： 064112-064112-6  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にエピタキシャル成長したSrTiO₃(STO)層はペロブスカイト型酸化物を集積するための偽基板として用いられる。Si(001)上に初期成長したSTOは圧縮歪状態にある。その後の高温酸素中のアニールにより,SiO_x中間層が形成され,STOの歪状態が変わる。ここでは,STO膜の歪緩和をアニール時間と酸素分圧の関数として調べた。XRD,RHEED,TEM観察を組合わせて,界面酸化過程とSTO膜の歪緩和の関係を述べた。この歪緩和過程を理解することが,機能性酸化物上層と格子整合するようにSTOの格子定数を制御するために,有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  単結晶 ,  *MBE成長 ,  ウエハ【IC】 ,  格子定数 ,  *格子歪 ,  緩和現象 ,  後熱処理
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  酸素分圧 ,  中間層 ,  歪緩和

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタクシー ,  Si ,  成長 ,  単結晶 ,  歪緩和