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J-GLOBAL ID：201202264485165945   整理番号：12A0956227

高kゲートスタックの特性に及ぼす中間層の特性の影響

Influence of interlayer properties on the characteristics of high-k gate stacks

著者 (3件)： ENGSTROM O. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-412 96 Goeteborg, SWE) ,  MITROVIC I.z. (Univ. of Liverpool, Dep. of Electrical Engineering & Electronics, Brownlow Hill, Liverpool L69 3GJ, GBR) ,  HALL S. (Univ. of Liverpool, Dep. of Electrical Engineering & Electronics, Brownlow Hill, Liverpool L69 3GJ, GBR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 75  ページ： 63-68  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタゲートスタックの特性に対する中間層と高k酸化物の間の界面のシャープさの重要性について調査した。酸化物中のエネルギー帯変化を,HfO₂/SiO₂界面に対し文献データを使用して計算した。このとき,境界平面に対して2つの異なるケースを仮定した:k-値の深度変化がゆるやかな平坦面,kが急激に変化する租面。著者らは,容量特性は類似しているが,トンネリング特性は2つのケースの間でかなり異なることを示した。さらに,トンネリング有効質量の深さ分布と誘電定数は,酸化物スタックを通した電荷キャリアトンネリングに対する,および,容量換算酸化物厚さ(CET)の決定に対する確率に,かなりの影響をもっている。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  層 ,  *界面 ,  接合部 ,  トンネル効果 ,  *トランジスタ ,  *容量電圧特性
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  高k誘電体 ,  中間層 ,  接合界面

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： ゲートスタック ,  中間層