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J-GLOBAL ID：201202264614130690   整理番号：12A0895215

エレクトロニクス応用のInAlN/GaN系二重チャネル高電子移動度トランジスタの作製と特性評価

Fabrication and characterization of InAlN/GaN-based double-channel high electron mobility transistors for electronic applications

著者 (9件)： XUE Junshuai (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  ZHANG Jincheng (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  ZHANG Kai (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  ZHAO Yi (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  ZHANG Linxia (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  MA Xiaohua (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  LI Xiaogang (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  MENG Fanna (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...) ,  HAO Yue (Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 11  ページ： 114513-114513-5  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前の研究[J.S.Xueら,Appl.Phys.Lett.Vol.100,013507(2012)]では,パルス有機金属化学蒸着(PMOCVD)によって成長させたInAlN/GaN/InAlN/GaN二重チャネル(DC)ヘテロ構造において優れた電子輸送特性が得られた。本論文では,これらのヘテロ構造上に作製された高電子移動度トランジスタ(HEMT)の詳細な作製および体系的な特性評価を提示する。このデバイスは,静的出力と小信号の両性能に関して独特な直流挙動を呈し,1059mA/mmの向上した最大ドレイン電流密度および223mS/mmの強化された相互コンダクタンスを実証した。このようなデバイス性能の強化は,0.33±0.05Ω・mmまで低いオーミック接触抵抗が実現されたことに起因する。また,非常に低いゲート・ダイオード逆漏洩電流が,PMOCVDにより堆積されたInAlN障壁層の質の高さに起因して観測された。10GHzの電流利得周波数および21GHzの最大発振周波数も観察されたが,これらは文献に見られる最先端のAlGaN/GaN系DC HEMTに匹敵する。これらの結果は,InAlN関連デバイスのエピタクシーにおけるPMOCVDの応用に対する大きな可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 生産技術 ,  キャラクタリゼーション ,  素子構造 ,  *チャネル ,  *HEMT ,  電流密度 ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  接触抵抗 ,  Ohm接触 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  漏れ電流 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  基板
準シソーラス用語： オーミック接触 ,  ドレイン電流 ,  高電子移動度トランジスタ ,  特性評価 ,  ヘテロ構造 ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  サファイア基板

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： エレクトロニクス ,  応用 ,  InAlN ,  GaN ,  二重チャネル ,  高電子移動度トランジスタ ,  作製 ,  特性評価