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J-GLOBAL ID：201202264663842735   整理番号：12A0256874

GaAs高指数基板上に成長させた自己組織化InAsナノ構造の光学異方性

Optical anisotropy in self-assembled InAs nanostructures grown on GaAs high index substrate

著者 (5件)： BENNOUR M. (Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...) ,  SAIDI F. (Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...) ,  BOUZAIEENE L. (Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...) ,  SFAXI L. (Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...) ,  MAAREF H. (Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 2  ページ： 024310  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(11N)A基板(N=3~5)上に分子ビームエピタクシーにより成長させたInAs自己組織化ナノ粒子の光学特性を調べた。フォトルミネセンス(PL)測定からGaAs(115)A上に成長させたInAs量子ドット(QD)の光学特性はGaAs(113)A及び(114)A方位基板上に成長させた場合よりも良好であることが分かった。GaAs(114)A及び(113)A試料のいずれのPLスペクトルでも1.39eVに別のピークが局在していた。偏光光ルミネセンスの評価を確証して,この追加のピークは量子ストリング(QST)放射が原因であると考えた。有限要素法を用いて歪及び圧電効果を含む三次元Schroedinger方程式の解に基づく理論研究を適用して,観測したフォトルミネセンスの放射ピークを区別した。このような高指数GaAs基板上へのQD及びQST形成のメカニズムを圧電駆動電子及び端部での平衡表面により説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  *MBE成長 ,  自己組織化 ,  量子ドット ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  結晶方位 ,  *光ルミネセンス ,  スペクトル線強度 ,  FWHM ,  ストリング模型 ,  Schroedinger方程式 ,  圧電気 ,  表面ステップ
準シソーラス用語： 量子ストリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  指数 ,  成長 ,  自己組織化 ,  InAs ,  ナノ構造 ,  光学異方性