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J-GLOBAL ID：201202264679300274   整理番号：12A0714948

Si基板上の青色InGaN/GaN単一量子井戸発光ダイオードの効率低下

Efficiency droop in blue InGaN/GaN single-quantum-well light-emitting diodes on the Si substrate

著者 (4件)： LIU M L (Nanchang Univ., Nanchang, CHN) ,  LIU M L (Jiangxi Normal Univ., Nanchang, CHN) ,  YE Z Q (Jiangxi Normal Univ., Nanchang, CHN) ,  LEI M S (Jiangxi Normal Univ., Nanchang, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 4  ページ： 45010,1-4  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaNに基づく発光ダイオード(LED)が高電流注入レベルで効率が低下する現象を調べるために,青色InGaN/GaN単一量子井戸LEDを提案した。量子井戸中のキャリア再結合に対するレート方程式の解析により,電子の漏れがない場合,低温での内部量子効率は高温の場合より高くならなければならないことを導いた。この結果を実験結果と比較して,電子の漏れが効率低下の主たる理由であると推論した。電子の漏れの原因は,正孔濃度が低いために,電子が井戸中に満たされることにあった。その充満した井戸中の電子は容易に電子ブロック層を溢れ出し,発光せずにp型GaN中の正孔と再結合することもあり得ると推論した。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  レート方程式 ,  ウエハ【IC】 ,  *発光ダイオード ,  青色光 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *量子効率 ,  漏れ
準シソーラス用語： Si基板 ,  *青色発光ダイオード ,  窒化インジウムガリウム ,  *内部量子効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  青色 ,  InGaN ,  GaN ,  単一量子井戸 ,  発光ダイオード ,  効率低下