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J-GLOBAL ID：201202264861325088   整理番号：12A1066804

レーザー反射率計測を利用したプラズマ支援分子線エピタキシーによる液滴のない原子的に滑らかな表面を有するAlNエピ厚層の成長

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

著者 (8件)： JMERIK V.n. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  MIZEROV A.m. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  NECHAEV D.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  ASEEV P.a. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  SITNIKOVA A.a. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  TROSHKOV S.i. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  KOP’EV P.s. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS) ,  IVANOV S.v. (Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 354  号： 1  ページ： 188-192  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Alリッチ条件下(F_Al/F_z<1.4)(z=N^*),プラズマ支援分子線エピタキシーによるc-サファイア上へのAlNエピ厚層の低温(<750°C)成長を本論文で報告する。Alフラックスの短周期遮断をレーザー反射率計測によって精密に制御して,液滴のない連続的な成長を行い,そして,成長速度を活性化窒素フラックスによって抑制して,原子的に滑らかなAlN膜(4μm²で,rms<2ML)を確保した。AlNフラックスの遮断時において,堆積した小さなAlクラスタのその後のAlN層への混入と側方拡散は,活性窒素ラジカルによって促進することを推定した。また,AlGaN/AlN超格子のその後の成長に及ぼす残留Al液滴の強い影響も明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  サファイア ,  *ヘテロエピタクシー ,  *厚膜 ,  フラックス【流束】 ,  成長速度 ,  反射率 ,  表面粗さ ,  ラジカル ,  *平滑度
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  光反射率 ,  窒素ラジカル ,  *原子的平滑度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： レーザー ,  反射率 ,  計測 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタキシー ,  液滴 ,  原子 ,  AlN ,  厚 ,  成長