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J-GLOBAL ID：201202265071544517   整理番号：12A1216949

誘導自己組織化を用いたコンタクトホールの収縮プロセス

Contact Hole Shrink Process using Directed Self-Assembly

著者 (12件)： SEINO Yuriko (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YONEMITSU Hiroki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATO Hironobu (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KANNO Masahiro (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KATO Hikazu (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI Katsutoshi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KAWANISHI Ayako (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  AZUMA Tsukasa (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MURAMATSU Makoto (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  NAGAHARA Seiji (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  KITANO Takahiro (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  TOSHIMA Takayuki (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8323  ページ： 83230Y.1-83230Y.7  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジブロック共重合体PS-b-PMMAを用いてコンタクトホール(CH)を収縮させる工程を開発した。グラフォエピタクシー用CH案内パターンをArFフォトレジストを用いて作製し,深UV照射後に有機溶剤を用いてPMMA円筒領域を除去した。溶媒は最良の現像液であり,PMMAのウェット現像は深UV照射の総量に強く依存し,照射量が低い程円のPMMAの除去は不鮮明であり,最適照射量では鮮明であった。75nmのCH案内パターンを20nmに収縮できた。

シソーラス用語： *コンタクトホール ,  自己組織化 ,  ジブロック共重合体 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *収縮 ,  ナノメータ加工 ,  *フォトレジスト ,  紫外線照射 ,  プロセス開発 ,  半導体プロセス ,  フォトリソグラフィー ,  エピタクシー
準シソーラス用語： ウェットプロセス ,  グラフォエピタクシー ,  照射量依存性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘導 ,  自己組織化 ,  コンタクトホール ,  収縮 ,  プロセス