BAIDUS N. V. について
Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS について
VAINBERG V. V. について
National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR について
ZVONKOV B. N. について
Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS について
PYLYPCHUK A. S. について
National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR について
POROSHIN V. N. について
National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR について
SARBEY O. G. について
National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR について
Semiconductors について
δドーピング について
多重量子井戸 について
ヒ化ガリウムインジウム について
ヒ化ガリウム について
化合物半導体 について
温度依存性 について
トンネル効果 について
電気伝導率 について
ヘテロ接合 について
キャリア移動度 について
不純物濃度 について
バンド構造 について
Hall係数 について
シュードモルフィック成長 について
不純物バンド について
二重量子井戸 について
半導体結晶の電気伝導 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
δドープ について
量子井戸 について
InGaAs について
GaAs について
ヘテロ構造 について
輸送特性 について