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J-GLOBAL ID：201202265193160299   整理番号：12A0728081

δドープ量子井戸を持つInGaAs/GaAsヘテロ構造の輸送特性

Transport properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with δ-doped quantum wells

著者 (6件)： BAIDUS N. V. (Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  VAINBERG V. V. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR) ,  ZVONKOV B. N. (Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  PYLYPCHUK A. S. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR) ,  POROSHIN V. N. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR) ,  SARBEY O. G. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 5  ページ： 631-636  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一重及び二重シュードモルフィックGaAs/n-InGaAs/GaAsヘテロ構造量子井戸の横方向伝導を調べた。量子井戸の深さは50~100meVで,不純物δドープの濃度は10¹¹<N_s<10¹²cm^-2である。ドープした井戸が中心にある一重井戸構造ではHall係数の温度依存性は単調ではなく,不純物濃度が増すと低温電子移動度は大きくなった。得た結果によると,不純物バンド電子状態がこの構造の伝導で大きな役を果たしていた。不純物バンドのかかわりはまたトンネル結合で,その一方にδドープした二重量子井戸の伝導率特性を上手く説明することを可能とした。一重井戸とは違い,非対称ドーピングの結果としてのバンドの曲がりは非常に重要である。このモデルによる伝導率の数値計算はこの示唆を裏付けた。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *δドーピング ,  *多重量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  温度依存性 ,  トンネル効果 ,  *電気伝導率 ,  ヘテロ接合 ,  キャリア移動度 ,  不純物濃度 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *Hall係数 ,  シュードモルフィック成長 ,  不純物バンド ,  二重量子井戸

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： δドープ ,  量子井戸 ,  InGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  輸送特性