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J-GLOBAL ID:201202265334624707   整理番号:12A0783982

超薄アモルファスシリコン膜のSiナノドット形成へのKrFパルスエキシマレーザ結晶化の動的過程

Dynamical process of KrF pulsed excimer laser crystallization of ultrathin amorphous silicon films to form Si nano-dots
著者 (9件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 094320-094320-5  発行年: 2012年05月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Tersoffポテンシャルに基づいた分子動力学(MD)シミュレーションで超薄アモルファスシリコン(a-Si)膜のレーザ誘起結晶化を調べた。結晶化過程へのレーザフルエンスとa-Si膜厚みの影響を議論した。MDシミュレーション結果の説明のために古典的核形成理論を用いた。Siナノドット形成へのa-Si膜厚みの制約的効果をこれに従い評価した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  レーザ照射・損傷 

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