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J-GLOBAL ID：201202265374246420   整理番号：12A1115307

原子層堆積したAl₂O₃保護層を用いた薄い有機層/半導体界面の固有電気的性質の探針

Probing the intrinsic electrical properties of thin organic layers/semiconductor interfaces using an atomic-layer-deposited Al₂O₃ protective layer

著者 (5件)： PENG W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  SEITZ O. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  CHAPMAN R. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  VOGEL E. M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  CHABAL Y. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 5  ページ： 051605-051605-5  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子層を通した大きなトンネル電流と素子製造時の損傷故に,薄い有機層/半導体界面の固有電気的性質は興味深い。本論文では,原子層堆積を用いて上部に柔らかく蒸着したAl₂O₃層で界面を保護する方法を示した。得られる二層ゲートスタックは静電容量とコンダクタンスの測定により特性化できる。保護した界面はn型Si(111)表面に対してD_itの低い(≦2×eV^-1)固有の高品質を示し,水銀プローブを用いて最も良く測定できる。MOSコンデンサの作製に必要なさらなる手順はD_itを増加させる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  *絶縁膜 ,  静電容量 ,  コンダクタンス ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  *薄膜コンデンサ ,  半導体材料 ,  保護膜 ,  *単分子層
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  *自己集合単分子層 ,  有機層

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  保護層 ,  有機層 ,  界面 ,  固有 ,  電気的性質 ,  探針