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J-GLOBAL ID：201202265732845616   整理番号：12A0802601

GaMnAs/Cu二層の近接界面での強磁性を検出する接触抵抗

Contact resistance as a probe of near-interface ferromagnetism in GaMnAs/Cu bilayers

著者 (6件)： EID K. F. (Dep. of Physics, Miami Univ., Oxford, Ohio 45056, USA) ,  PAUDEL B. (Dep. of Physics, Miami Univ., Oxford, Ohio 45056, USA) ,  RILEY G. (Dep. of Physics, Miami Univ., Oxford, Ohio 45056, USA) ,  DAHLIAH D. (Dep. of Physics, Miami Univ., Oxford, Ohio 45056, USA) ,  LIU X. (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  FURDYNA J. K. (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 21  ページ： 212403-212403-4  発行年： 2012年05月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/GaMnAs界面での接触抵抗の温度依存性を調べることによりGaMnAsの近接表面磁性の高感度プローブとして接触抵抗測定を用いた。比接触抵抗(AR_C)はGaMnAs低効率に見られるより明らかに低温側にシフトするピークがある。このシフトはGaMnAs膜の磁化がCu界面近傍で抑制されることを示している。さらに,GaMnAsとCu間に固有酸化物層が存在すると,AR_Cの]挙動は界面の厚いトンネルバリヤにより著しく異なることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *ヒ化物 ,  半導体薄膜 ,  銅 ,  *半導体金属接合 ,  界面 ,  絶縁膜 ,  接触抵抗 ,  磁化 ,  温度依存性 ,  ポテンシャル障壁 ,  空乏層 ,  熱電子放出 ,  *磁気測定

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  磁気の計測法・機器  (AD07060U)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  界面 ,  強磁性 ,  接触抵抗