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J-GLOBAL ID：201202265796784599   整理番号：12A0593528

集束Ga⁺イオンビーム衝撃によって誘起された自己アセンブリタングステンナノニードルに及ぼす表面粗さの効果

The effect of surface roughness on self-assembly tungsten nanoneedles induced by focused Ga⁺ ion beam bombardment

著者 (8件)： RAN Guang (School of Energy Res., Xiamen Univ., Xiamen, Fujian 361005, CHN) ,  RAN Guang (Dep. of Nuclear Engineering and Radiological Sciences, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  LIU Xiang (Southwestern Inst. of Physics, Chengdu, Sichuan 610041, CHN) ,  WU Jihong (Southwestern Inst. of Physics, Chengdu, Sichuan 610041, CHN) ,  ZU Xiaotao (Dep. of Applied Physics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054, CHN) ,  WANG Lumin (School of Energy Res., Xiamen Univ., Xiamen, Fujian 361005, CHN) ,  WANG Lumin (Dep. of Nuclear Engineering and Radiological Sciences, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  WANG Lumin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 15  ページ： 5553-5557  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集束イオンビームによる衝撃による多結晶タングステンのモフォロジー的成長に及ぼす表面粗度の効果を研究した。高い粗度(Rz=8.9nm)の機械研磨タングステン表面上にナノニードルが自己アセンブルした。対照的に,表面粗度以外の衝撃パラメータは同一であるけれども,ナノニードルが無い特別の表面が低粗度(Rz=1.4nm)の電解研磨タングステン表面上に形成された。凹凸表面モルフォロジーはその粗化と平滑化の間の動的競合への効果によってナノニードル形成に大きく影響する。この発見はイオン照射の過程でのタングステンのモルフォロジー的成長を制御することにおいて元の表面モルフォロジーの重要性を示し,量子,光子,電子デバイスに利用可能なタングステンナノニードルの作製のための一手段を示唆する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *タングステン ,  *ナノ構造 ,  *表面粗さ ,  *集束イオンビーム ,  ガリウム ,  イオン衝突 ,  電解研磨 ,  *表面構造 ,  *自己組織化 ,  多結晶 ,  イオンビームスパッタリング
準シソーラス用語： イオン衝撃 ,  *ナノニードル ,  機械研磨 ,  表面形態

分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集束 ,  イオンビーム ,  衝撃 ,  誘起 ,  自己 ,  表面粗さ