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J-GLOBAL ID：201202265820532334   整理番号：12A1668389

超解像近接場フォトリソグラフィを利用したナノスケール線分の製作

Nanoscale Line Segment Fabrication Using Super-Resolution Near-Field Photolithography

著者 (1件)： YANG Ching-Been (Taoyuan Innovation Inst. of Technol., Chung Li City, TWN)
資料名： Scanning  (Scanning)
巻： 34  号： 5  ページ： 284-294  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0300B  ISSN： 0161-0457  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールの微細構造の作製において,線幅やプロフィルを高精度に作製する方法が求められている。線分の製作に近視野フォトリソグラフィを利用することに着目した。本論文では,近視野フォトリソグラフィを利用してナノスケール線分を製作する方法について検討した。近視野フォトリソグラフィと熱誘導超解像を組み合わせた方法を提案した。この方法をシミュレーションし,ナノスケール線分の製作工程を解析した。光学金属膜の理論モデルを利用して,線分の製作時のインジウム膜の透過率を計算した。また,熱伝達モデルを利用して,インジウム膜でレーザビームが透過した後のフォトレジスト表面の露光パワー密度を解析した。これらの結果を詳細に検討し,超解像近接場フォトリソグラフィで作製した線分の理論的な幅と分布を導出した。この結果,インジウム被覆フォトレジストでの線分の幅は88nmであることが分かった。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  シミュレーション ,  フォトレジスト ,  レーザビーム ,  直線 ,  *超解像 ,  近接場 ,  数学モデル ,  精密加工 ,  金属薄膜 ,  透過率 ,  インジウム ,  熱伝達
準シソーラス用語： ナノスケール ,  線分 ,  理論モデル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超解像 ,  近接場 ,  フォトリソグラフィ ,  ナノスケール ,  線分 ,  製作