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J-GLOBAL ID:201202265901392049   整理番号:12A1756905

ゾル-ゲル-炭素繊維界面のモデリングに対する炭素-シリコン層上でのコバルトドープ アンチモン/酸化スズゾル-ゲル

Cobalt-Doped Antimony/Tin Oxide Sol-Gels on Carbon-Silicon Layers for Modeling Sol-Gel-Carbon Fiber Interfaces
著者 (3件):
資料名:
巻: 51  号: 11,Issue 2  ページ: 11PG15.1-11PG15.4  発行年: 2012年11月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究は,新しい熱応答ゾル-ゲル(ドーパント)組合わせおよび異なる熱処理温度での活性化応答の評価を提示した。本研究では,炭素/シリコン基板上の,0.1%酸化コバルト(0.1%Co2O3)を添加したアンチモンドープ酸化スズ(ATO)の試料を用いて,炭素繊維複合材料系へのゾル-ゲル被覆の実行のモデリングを行った。ATOは良く知られた透明導電材料であるが酸化コバルト(Co2O3)の添加は,低温アニーリングで,その形態と光学パラメータとを変化させた。ATO(0.1%Co2O3)熱処理温度の変化により,結晶粒度は,200°Cで増大を開始した。しかし500°Cに近づくと,Raman分光法は,ATO(0.1%Co2O3)の強度増大が,無添加ATOよりも低いことを示した。イメージングを走査電子顕微鏡法を用いて行い,エネルギー分散分光法を組成分析に用いた。光反射率を,Fourier変換赤外(FTIR)分光法およびRaman分光分析を介して報告した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体薄膜 

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