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J-GLOBAL ID：201202265976602952   整理番号：12A0215169

Au/Cr自己集合クラスタをエッチマスクとして使う反応性イオンエッチングによって作製したケイ素ナノピラーの横方向寸法の縮小

Scaling down lateral dimensions of silicon nanopillars fabricated by reactive ion etching with Au/Cr self-assembled clusters as an etch mask

著者 (5件)： KALIASAS R. ,  BALTRUSAITIS J. ,  MIKOLAJUNAS M. ,  JAKUCIONIS L. ,  VIRZONIS D.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 2041-2045  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノドットおよびナノピラー構造とそれらの正確に制御されて再現性のある製造は,フォトニック結晶および表面プラズモン共振器を含む共通的ナノエレクトロニクスデバイスにおいて非常に興味が持たれている。この研究では,ケイ素ナノピラー構造の製造工程を述べる。それは一原子直径に近い厚みの金およびクロムの自己組織化を含み,エッチングマスクとして使って,ケイ素ナノピラーを形成するための反応性イオンエッチングを行う。自己集合した金およびクロムのクラスタと最終産物のケイ素ナノピラーとの特性評価のために走査型トンネル顕微鏡観察とX線光電子分光法を使った。この方法によれば,横方向が10nm以下で直径対高さのアスペクト比が1:14のケイ素ナノピラーを作ることができることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 縮小 ,  RIE【エッチング】 ,  マスク ,  金 ,  クロム ,  自己集合 ,  金属クラスタ ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノ構造 ,  *柱 ,  顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  直径 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： *ナノピラー ,  自己集合クラスタ ,  走査型トンネル顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (12件)： Au ,  Cr ,  自己集合 ,  クラスタ ,  エッチ ,  マスク ,  反応性イオンエッチング ,  作製 ,  ケイ素 ,  ナノピラー ,  横方向 ,  縮小