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J-GLOBAL ID：201202266230206659   整理番号：12A1211799

直列Sn-Agとインジウムの電気めっきによるSn-Ag-In半田バンプの製作と微細構造と剪断強度に及ぼすインジウム添加の影響

Preparation of Sn-Ag-In Solder Bumps by Electroplating of Sn-Ag and Indium in Sequence and the Effect of Indium Addition on Microstructure and Shear Strength

著者 (4件)： WANG Dong-Liang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Dong-Liang (Graduate School, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YUAN Yuan (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LUO Le (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 2  号： 7/8  ページ： 1275-1279  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,微小寸法のSn-Ag-In三元半田バンプ2段電気めっきと界面反応により製作し,そして3つの異なる半田(下記バンプ剪断試験の)および銅バンプ下地金属(UBM)間の剪断力を調査した。この技術はフリップチップのための三元半田合金を電気めっきすることの難しさを克服した。Sn-AgへのInの添加はリフロー温度を下げそして半田/金属間化合物(IMC)界面を改善した。長時間リフロー後,半田と銅UBM間の反応が,ηCu₆(Sn,In)₅およびεCu₃(Sn,In)のような2つのIMCを形成し,そしてIMCの組成はIn含有量で変化した。In含有量が10%に増加した時,半田/IMC界面を大きく改善しそして溶解を抑制するη層が相対的に平滑で正常になった。バンプ剪断試験で,Sn1.8Ag9.4In半田バンプの平均剪断力は,Sn2.2AgとSn1.6Ag21.7Inのそれより高く,そして長いリフロー時間で増加した。

シソーラス用語： *電気めっき ,  *はんだ ,  三元合金 ,  微細構造 ,  *剪断強さ ,  超小形回路技術 ,  フリップチップ法 ,  リフロソルダリング ,  金属間化合物 ,  界面 ,  含有量 ,  剪断力
準シソーラス用語： バンプ下地金属 ,  界面反応

分類 (3件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  ろう付  (WC07050C) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直列 ,  インジウム ,  電気めっき ,  半田バンプ ,  製作 ,  微細構造 ,  剪断強度