文献

J-GLOBAL ID：201202266258193226   整理番号：12A0527496

薄BOXをもつ超薄SOI MOSFETにおけるバックゲートバイアスによる移動度強化

Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs With Thin BOX

著者 (5件)： OHATA A. (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  BAE Y. (Uiduk Univ., Gyeongju, KOR) ,  FENOUILLET-BERANGER C. (CEA-LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  FENOUILLET-BERANGER C. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CRISTOLOVEANU S. (Grenoble INP-Minatec, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 3  ページ： 348-350  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETにおけるゲート長スケールには,短チャネル効果を制御が必要である。そのために,SOI膜のおよび埋め込み酸化物(BOX)厚さを急激に縮小する必要がある。しかし,BOX下の大きな空乏層は,有効BOX厚さを増加する。本レターでは,薄BOXおよび接地面(BP)をもつ超薄SOI MOSFETにおけるキャリア移動度に対するバックゲートバイアス電圧の役割を評価した。それにより,バックチャネルでも,どちらの薄BOXおよびBP構造でも劣化しないことを確認した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  SOI構造 ,  *MOSFET ,  移動度 ,  ゲート【半導体】 ,  *短チャネル効果 ,  酸化物 ,  空乏層 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： SOI ,  ゲート長 ,  バイアス電圧 ,  バックゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： BOX ,  SOI ,  MOSFET ,  バック ,  ゲートバイアス ,  移動度 ,  強化