文献

J-GLOBAL ID：201202266342093466   整理番号：12A1116416

有機ローダミンB界面層を有するp-GaAs上でのAl Schottky接触の電気特性に関する障壁高さ増大および温度依存性

Barrier height enhancement and temperature dependence of the electrical characteristics of Al Schottky contacts on p-GaAs with organic Rhodamine B interfacial layer

著者 (2件)： SOYLU Murat (Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Bingol Univ., Bingol, TUR) ,  YAKUPHANOGLU Fahrettin (Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Firat Univ., Elazig, TUR)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 52  号： 3  ページ： 470-483  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *アルミニウム ,  境界層 ,  温度依存性 ,  Schottky障壁ダイオード ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  芳香族アミン ,  芳香族カルボン酸 ,  酸素複素環化合物 ,  キノイド化合物 ,  インモニウム ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： 界面層

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： ローダミンB

タイトルに関連する用語 (8件)： ローダミンB ,  界面層 ,  GaAs ,  Al ,  Schottky接触 ,  電気特性 ,  障壁高さ ,  温度依存性