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J-GLOBAL ID：201202266348850773   整理番号：12A0435906

AlGaN/GaNを基本とする金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタの性能の改善を目指した二モードゲート誘電体の堆積

Bimodal gate-dielectric deposition for improved performance of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors

著者 (2件)： PANG Liang (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  KIM Kyekyoon Kevin (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 4  ページ： 045105,1-6  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング法で成膜したSiO₂から成る二モードゲート誘電体を持つAlGaN/GaNによるMOSHEMTの性能の改善に関する研究結果を報告する。スパッタリングの際に誘起される損傷のために必ず生じるドレイン電流の低下を,スパッタリングの前にプラズマ支援化学蒸着法(PECVD)でSiO₂のバッファ層を堆積することによって解決した。低密度のPECVDで堆積したSiO₂と高密度のSiO₂をスパッタリング法で堆積することによって,ドレイン電流とブレークダウン電圧の低下を同時に改善できることが分かった。このように,SiO₂を基本とする二モードゲート誘電体の堆積は,GaNを基本とする高出力のMOSFETを作製するのに非常に有用であることが分かった。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *MOS構造 ,  *HEMT ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  電流 ,  プラズマCVD ,  バッファ層 ,  二酸化ケイ素 ,  電圧 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ブレークダウン電圧 ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  ゲート誘電体

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  酸化物 ,  高電子移動度トランジスタ ,  ゲート誘電体 ,  堆積