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J-GLOBAL ID：201202266369432530   整理番号：12A0495322

ナノ細線支援ミクロ砂時計型インターロックによるミクロスケールのシリコン-高分子界面の界面強度の増大

Increased Interfacial Strength at Microscale Silicon-Polymer Interface by Nanowires Assisted Micro-Sandglass Shaped Interlocks

著者 (4件)： PENG Hsien-Chih (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  KHOO Hwa Seng (Univ. Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  TSENG Fan-Gang (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Fan-Gang (Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 027302.1-027302.8  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミクロシステムパッケージングのために,特に硬物質とソフト物質の界面を中心に,界面強化法を提案した。ミクロ砂時計型のインターロック(MSI)について,初めにシリコンとNafionの界面でこれを例証し,1MPaの強い界面強度を実証した。さらに,ナノ細線を用いた砂時計型インターロック(NW-MSI)を採用して界面強度を増強して3.4MPa値を達成した。理論予測では,増大因子には,ギャップ収縮比,オーバハング角,接触面積と摩擦係数が示唆された。MSIの幾何形状はKOHエッチング時間に強く依存するが,摩擦はMSIの側壁にナノ細線を用いた場合に増大可能である。NW-MSIに基づいて得られる最大の界面強度は,ナノ細線を使用しないMSIに比べて3.4倍高くなった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *LPCVD ,  ナノワイヤ ,  強度 ,  *ヘテロ接合 ,  界面 ,  *ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  微細構造 ,  構造体 ,  フォトリソグラフィー ,  イオンエッチング ,  フッ素樹脂 ,  *陽イオン交換樹脂 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 界面強度 ,  ヘテロ界面 ,  マイクロ構造体 ,  Nafion ,  Siウエハ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固-固界面  (CB12060M)

引用文献 (18件)：

• 1) S. H. Huang, H. S. Khoo, S. Y. ChangChien, and F. G. Tseng: Microfluid. Nanofluid. 5 (2008) 459.
• 2) K. H. Lee, Y. D. Su, S. J. Chen, F. G. Tseng, and G. B. Lee: Biosens. Bioelectron. 23 (2007) 466.
• 3) Y. H. Seo and Y. H. Cho: Sens. Actuators A 150 (2009) 87.
• 4) J. Yeom, G. Z. Mozsgai, B. R. Flachsbart, E. R. Choban, A. Asthana, M. A. Shannon, and P. J. A. Kenis: Sens. Actuators B 107 (2005) 882.
• 5) Y. Zhang, J. Lu, S. Shimano, H. Zhou, and R. Maeda: Electrochem. Commun. 9 (2007) 1365.

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノ細線 ,  支援 ,  インターロック ,  スケール ,  シリコン ,  高分子 ,  界面 ,  界面強度