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J-GLOBAL ID：201202266490452270   整理番号：12A1485756

非対称ゲート抵抗器電力MOSFET

Asymmetric Gate Resistor Power MOSFET

著者 (4件)： WANG Jun (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  XU Shuming (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  KOREC Jacek (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  BAIOCCHI Frank (Texas Instruments Inc., PA, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 409-412  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称ゲート抵抗器電力MOSFETを設計し,立証した。並列LDMOSFET接続ダイオードとシャント抵抗器を集積化することで,大きなターンオンゲート抵抗器と小さなターンオフゲート抵抗器を達成した。集積化されたダイオードは高速ターンオフ速度と高変換効率を維持する。また,LDMOSFETのバルクダイオードはゲート酸化物に対するESD保護を達成できる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  放電 ,  電流電圧特性 ,  電気抵抗 ,  効率 ,  電気保護 ,  ダイオード ,  非対称性 ,  ターンオン ,  ターンオフ
準シソーラス用語： *電力MOSFET ,  LDMOSFET ,  シャント抵抗 ,  変換効率 ,  ESD保護

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非対称 ,  ゲート ,  抵抗器 ,  電力MOSFET