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J-GLOBAL ID:201202266537834657   整理番号:12A0442375

注入SiO2:Si:C膜内の量子ドットルミネセンス励起のメカニズム

Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films
著者 (6件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 045301,1-10  発行年: 2012年02月01日 
JST資料番号: B0914B  ISSN: 0953-8984  CODEN: JCOMEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  励起子 

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