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J-GLOBAL ID：201202266617109392   整理番号：12A1337199

p-チャンネルを持つAs/Sbの混合したII型スタガードギャップ型トンネル電界効果トランジスタ構造の構造特性とバンドオフセットの決定

Structural properties and band offset determination of p-channel mixed As/Sb type-II staggered gap tunnel field-effect transistor structure

著者 (8件)： ZHU Y. (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  JAIN N. (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA) ,  MOHATA D. K. (Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  DATTA S. (Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  LUBYSHEV D. (IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA) ,  FASTENAU J. M. (IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA) ,  LIU A. K. (IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA) ,  HUDAIT M. K. (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 11  ページ： 112106-112106-4  発行年： 2012年09月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)によって成長させたp-チャネルを持つスタガードギャップ型のIn_0.7Ga_0.3As/GaAs_0.35Sb_0.65から成るヘテロ構造トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の構造特性とバンドオフセットの決定に関する研究結果を報告する。高分解能x線回折から,活性層は「仮想基板」に対して歪みを持つことが分かった。動的二次イオン質量分光法によって,In_0.7Ga_0.3As/GaAs_0.35Sb_0.65のヘテロ界面における急峻な接合プロフィルおよびAs原子とSb原子の間の混合に関する最低レベルを確認した。x線光電子分光法から,価電子帯のバンドオフセットとして,0.37±0.05eVを導出することができた。また,0.13eVの有効トンネル障壁高を持つヘテロ界面におけるスタガードバンド配列を確認することができた。斯くして,MBE成長させたスタガードギャップ型In_0.7Ga_0.3As/GaAs_0.35Sb_0.65から成るTFET構造は,将来におけるAsとSbの混合したII型構造を基本とする相補型論理素子および低電力消費素子に関する重要なガイダンスを提供する有望なp-チャネル素子となるものと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  バンドオフセット ,  MBE成長 ,  配列 ,  バンドギャップ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  格子歪 ,  X線光電子スペクトル ,  ポテンシャル障壁 ,  高さ
準シソーラス用語： pチャネルFET ,  *トンネルFET ,  トンネル障壁 ,  *ヒ化窒化ガリウム ,  障壁高さ ,  千鳥配列 ,  相補型論理素子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャンネル ,  Sb ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  構造特性 ,  バンドオフセット