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J-GLOBAL ID：201202266700473055   整理番号：12A0905133

Siナノワイヤと接するシリサイドの形成

Silicide formation in contacts to Si nanowires

著者 (3件)： DELLAS N. S. (The Pennsylvania State Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 16802, Univ. Park, PA, USA) ,  SCHUH C. J. (The Pennsylvania State Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 16802, Univ. Park, PA, USA) ,  MOHNEY S. E. (The Pennsylvania State Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 16802, Univ. Park, PA, USA)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 47  号： 17  ページ： 6189-6205  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリサイドは,金属とSiとの反応により形成される金属間化合物で,長い間,金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの接続に使用され,他のSiナノワイヤー(SiNW)デバイスにも関心が向けられている。以下では,Ti,V,白金,パラジウム,鉄,及びNi-Si系の実験結果,およびSiウェハ上の金属膜からシリサイド形成の以前の研究と関連づけて報告した。初期遷移金属TiおよびVではシリサイドは,接点パッドの下にSiリッチ(MSi₂)として形成した。中央遷移金属のFeおよび後期遷移金属PtとPdの金属リッチシリサイドは,最初に形態が不明確な層として形成されることが観察され,ナノデバイスにこれらの接続を組み込むことが課題であった。ニッケル接点は接点パッドから軸シリサイドとして良好な成長挙動を示す唯一のものであった。このシリサイドの形成は,元のSiNWの向きに強く依存した。これらの知見を金属SiNW系の動力学的観点から検討した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *金属間化合物 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *固相反応 ,  チタン ,  バナジウム ,  白金 ,  パラジウム ,  鉄 ,  ニッケル化合物 ,  *金属薄膜 ,  *熱処理
準シソーラス用語： ケイ化ニッケル ,  金属膜

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ナノワイヤ ,  シリサイド