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J-GLOBAL ID：201202267002119491   整理番号：12A1763789

高移動度Ge基板上に成長した希土類酸化物のゲートスタック誘電劣化

Gate stack dielectric degradation of rare-earth oxides grown on high mobility Ge substrates

著者 (4件)： SHAHINUR RAHMAN Md. (Detector Laboratory-GSI Helmholtzzentrum Schwierionenforschung, 64291 Darmstadt, DEU) ,  EVANGELOU E. K. (Lab. of Electronics-Telecoms & Applications, Dep. of Physics, Univ. of Ioannina, 45110 Ioannina, GRC) ,  KONOFAOS N. (Dep. of Informatics, Aristotle Univ. of Thessaloniki, GRC) ,  DIMOULAS A. (MBE Lab., Inst. of Materials Sciences, Demokritos, 15310 Athens, GRC)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 094501-094501-7  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge基板上に高-k膜HfO₂とともにバッファ層として希土類酸化物を用いた場合に,標題の誘電劣化の解析と信頼性を報告する。このスタック構造のMOS素子はレベルを変えた定電圧ストレス(CVS)条件で異なる電荷捕獲現象を示し,それは界面及び辺縁トラップの測定密度に影響する。これら両トラップに関わる容量電圧ヒステリシス曲線を調べた。ここに,Maxwell-Wagner機構に基づく新しいモデルを提案する。これにより,低電界から高電界に亘るCVSバイアスで見られる過渡電流減衰を説明する。このモデルは他のMOS素子に用いられるものとは異なる。中位電界での長時間のCVS測定により,初期電流減衰は緩和によることが分かった。その後,電荷捕獲とストレス誘起漏れ電流が生じ,ハード破壊に至る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  酸化ハフニウム ,  バッファ層 ,  希土類元素化合物 ,  ウエハ【IC】 ,  *劣化 ,  信頼性 ,  バイアス ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  キャリア捕獲 ,  捕獲中心 ,  表面欠陥 ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊 ,  シミュレーションモデル ,  誘電緩和 ,  酸化ジスプロシウム ,  酸化ランタン ,  酸化セリウム ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： Maxwell-Wagner機構 ,  ゲートスタック ,  ゲルマニウム基板 ,  過渡電流 ,  *希土類酸化物 ,  電圧ストレス ,  誘電劣化

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高移動度 ,  Ge基板 ,  成長 ,  希土類酸化物 ,  ゲートスタック