文献

J-GLOBAL ID：201202267134585130   整理番号：12A1690272

ESD/誘導ノイズによる電子デバイスの障害-LSIのESD耐性強化を支援する背景知識-

著者 (1件)： 藤江明雄
資料名： 静電気学会誌  (Journal of the Institute of Electrostatics Japan)
巻： 36  号： 5  ページ： 256-261  発行年： 2012年10月10日 
JST資料番号： S0175A  ISSN： 0386-2550  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 静電気放電(ESD)/誘導ノイズに関連する,過去から現在までの文献や実例を纏め,この分野に馴染みのない人への参考とした。内容は以下のとおりである。1)静電誘導からの金属誘導帯電,接地におけるESD発生の過程,2)LSIのESDに関連した熱解析の進展,3)MOS-LSIの縮小微細設計の動向,4)LSIリードフレームの誘導帯電からの電荷移動,5)各ESD耐性試験法の等価回路と放電電流波形,6)LSIへのESD耐性取組強化の流れ,7)プリント配線基板の静電誘導問題,8)日本のESD検出器開発の流れ,9)磁界センサの進化とLSI及びPCBへの応用。

シソーラス用語： *放電 ,  *誘導雑音 ,  静電誘導 ,  帯電 ,  熱分析 ,  プリント配線 ,  プリント基板 ,  磁気センサ ,  電子回路 ,  *障害 ,  LSI【IC】 ,  耐性
準シソーラス用語： *静電気放電 ,  *電子素子障害

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (15件)：

• CHEMELLI, R. G. ESD by static induction. EOS/ESD Symp., 1983. 1983, 29
• WUNCH, D. C. Determination of threshold failure levels of semiconductor diode and transistors due to pulse voltages. IEEE Trans. Nuclear Sci. 1968, NS-15, 47
• 藤江. 電子情報通信学会信頼性研究会, 1981. 1981
• 藤江明雄. 電子デバイスにおけるESD対策の推移. 静電気学会誌. 2005, 29, 92
• WUNCH, D. C. The application of electrical overstress models to gate protective networks. IEEE 16^<th> Annual Reliability Physics Symposium Proceedings, 1978. 1978, 47

タイトルに関連する用語 (8件)： ESD ,  誘導 ,  ノイズ ,  電子デバイス ,  障害 ,  LSI ,  支援 ,  背景知識