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J-GLOBAL ID：201202267202947801   整理番号：12A0345025

グラフェントランジスタ低周波雑音の特性化とモデリング

Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise

著者 (8件)： GRANDCHAMP B. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  FREGONESE S. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  MAJEK C. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  HAINAUT C. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  MANEUX C. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  MENG N. (Lab. Integration du Materiau au Systeme (IMS), CNRS, Talence, FRA) ,  HAPPY H. (Lab. Integration du Materiau au Systeme (IMS), CNRS, Talence, FRA) ,  ZIMMER T. (Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 2  ページ： 516-519  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンシートの物理は,グラフェン電界効果トランジスタ,グラフェンリボン電界効果を用いたエレクトロニクス用途に対して大変興味がある。本論文では,SiC基板から分解したグラフェン層を持つグラフェン電界効果トランジスタに関しての低周波雑音測定について述べた。測定結果は,ドレインソース間で測定された電流雑音源においてフリッカ雑音が優勢であることを示した。雑音レベルはチャネル面積に反比例し,主な雑音源の位置はグラフェン層にあることを示した。これらの測定から,主要なフリッカ雑音とジョンソン雑音を含む主な雑音源を小型モデルへと導入した。この雑音小型モデルを,dc特性化結果を用いて確立した。最後に,雑音小型モデルを雑音測定との比較により実証した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  グラファイト ,  *炭素材 ,  シミュレーションモデル ,  低周波雑音 ,  モデリング ,  SPICEプログラム ,  電流電圧特性 ,  雑音測定 ,  炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  基板 ,  ドレイン【半導体】 ,  グラフェン
準シソーラス用語： グラフェントランジスタ ,  コンパクトモデル ,  4H-SiC

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェントランジスタ ,  低周波雑音 ,  特性化 ,  モデリング