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J-GLOBAL ID：201202267265402716   整理番号：12A1115668

GaInNAsへの窒素導入の研究:分子線エピタクシーにおける成長温度の役割

Study of nitrogen incorporation into GaInNAs: The role of growth temperature in molecular beam epitaxy

著者 (7件)： KORPIJAERVI V.-m. (Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN) ,  AHO A. (Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN) ,  LAUKKANEN P. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Turku, Turku 20014, FIN) ,  TUKIAINEN A. (Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN) ,  LAAKSO A. (Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN) ,  TUOMINEN M. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Turku, Turku 20014, FIN) ,  GUINA M. (Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 2  ページ： 023504-023504-5  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInNAsはGaAs系オプトエレクトロニクス及び多重接合太陽電池の開発において重要な材料である。しかし,GaInAsへのN導入の複雑な様相はなお完全には理解されていない。ここでは,X線回折,光ルミネセンス,RHEED,及び光電子分光を組合わせて,N導入について調べた。N導入量は300~450°Cでは成長温度が上がると増大する。成長フロントを調べると,表面再構成は成長温度に関わらず(1×3)である。N導入量の増大は活性化エネルギーが約0.1eVの熱活性化過程としてモデル化できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  *MBE成長 ,  基板温度 ,  *固溶度 ,  窒素 ,  活性化エネルギー ,  表面再構成 ,  モデリング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ヒ化窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaInNAs ,  窒素 ,  研究 ,  分子線エピタクシー ,  成長温度 ,  役割