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J-GLOBAL ID：201202267277001172   整理番号：12A1203686

ピエゾ電気光熱信号の温度依存性により研究したGaAsN膜における窒素関連深準位

Nitrogen Related Deep Levels in GaAsN Films Investigated by a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal

著者 (7件)： KASHIMA Koshiro (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  FUKUYAMA Atsuhiko (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  NAKANO Yosuke (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  INAGAKI Makoto (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Hidetoshi (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Masafumi (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  IKARI Tetsuo (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 725  ページ： 93-96  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： ピエゾ電気 ,  温度依存性 ,  研究 ,  窒素 ,  深準位