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J-GLOBAL ID：201202267326263943   整理番号：12A1306349

薄膜ZnO Schottky接触をベースにしたUV光検出器の作製と特性評価:比較研究

Fabrication and characterization of thin film ZnO Schottky contacts based UV photodetectors: A comparative study

著者 (2件)： ALI Ghusoon M. (Electrical Engineering Dep., Coll. of Engineering, Al-Mustansiriyah Univ., Baghdad, Iraq) ,  CHAKRABARTI Parthasarathi (Center for Res. in Microelectronics, Dep. of Electronics Engineering, Inst. of Technol., Banaras Hindu Univ. ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 3  ページ： 031206-031206-7  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの方法で作製されたPd/ZnO薄膜Schottky接触をベースにしたUV光検出器の特性評価を報告した。ZnO薄膜は真空熱蒸着とゾル-ゲル法を用いてp型Si<100>基板上に成長させた。-2Vから+2Vの範囲の印加電圧で,365nm紫外波長で0.1mWの入力光パワーに対する光検出器の光電流,コントラスト比,応答性,量子効率を評価した。電流電圧特性を研究し,測定データから理想因子,漏れ電流,Schottky接触の障壁高さのようなパラメータを抽出した。原子間力顕微鏡と走査電子顕微鏡で薄膜のモルフォロジーと構造的性質を研究した。ZnOのバンドギャップはダブルビーム分光測光計で得られたZnO薄膜の吸光度スペクトルから評価された。表面化学結合の研究のために,X線光電子分光測定も行った。研究からゾル-ゲル誘導デバイスが真空堆積による薄膜を用いたものと比べてより良い性能を示すことが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *Schottky障壁 ,  *パラジウム ,  半導体金属接合 ,  真空蒸着 ,  ゾル-ゲル法 ,  *紫外検出器 ,  電流電圧特性 ,  量子効率 ,  漏れ電流 ,  X線光電子スペクトル

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜 ,  ZnO ,  Schottky接触 ,  UV光 ,  検出器 ,  作製 ,  特性評価 ,  研究