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J-GLOBAL ID：201202267446432447   整理番号：12A0012688

ZnO TFT低周波数雑音に及ぼす結晶品質効果

Crystal Quality Effect on Low-Frequency Noise in ZnO TFTs

著者 (8件)： JEONG Kwang-Seok (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Yu-Mi (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  YUN Ho-Jin (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  YANG Seung-Dong (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Young-Su (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  KANG Min-Ho (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  LEE Hi-Deok (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  LEE Ga-Won (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 12  ページ： 1701-1703  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO TFTの1/f雑音に関するアクティブ層の結晶品質効果について調査した。逆スタガー構成のZnO TFTを作成するためにSiO₂/Si基板上に100nm厚Tiゲート膜,200nm厚のSi₃N₄膜,40及び80nmのZnO膜をRFマグネトロンスパッタにて堆積し,ポストアニーリングなどの処理を施して膜結晶性を変動させた。アニーリングで結晶品質や電界移動度が改善するので界面近傍のトラップによるトラッピング/デトラッピングに関連する数量変動雑音モデルが支配的であることが分かった。また,移動度変動モデルの雑音パラメータより,ZnO TFTの電気的特性は結晶品質に従っていると思われる。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  *低周波雑音 ,  品質 ,  1/f雑音 ,  マグネトロンスパッタリング ,  捕獲中心
準シソーラス用語： *結晶品質

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  TFT ,  低周波数雑音 ,  結晶品質