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J-GLOBAL ID：201202267538963724   整理番号：12A1006074

SiC MOSFETにおける酸化物トラップ帯電および放電の2方向トンネル効果模型

Two-way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs

著者 (4件)： LELIS A. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  HABERSAT D. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  GREEN R. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  GOLDSMAN N. (Univ. Maryland, MD, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 465-468  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  MOSFET ,  酸化物 ,  トラップ ,  帯電 ,  放電 ,  2方向 ,  トンネル効果 ,  模型