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J-GLOBAL ID：201202267748707488   整理番号：12A0531426

局所電荷トラッピング不揮発性メモリデバイスにおけるしきい値電圧変動

Threshold Voltage Fluctuations in Localized Charge-Trapping Nonvolatile Memory Devices

著者 (2件)： JANAI Meir (Spansion Israel Ltd., Netanya, ISR) ,  LEE Meng Chuan (Spansion Penang, Penang, MYS)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 3  ページ： 596-601  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所電荷トラッピング不揮発性メモリデバイスにおけるしきい値電圧変動を調べた。高温焼成を伴う集中的な書込み/消去サイクルによって,書込みビットの平均Vtがシフトし,Vt分布の分散が増加した。長い十分な焼成後,Vtの減衰は飽和し,平均Vtとその分散は安定した。焼成を続けると個々のビットのVtは上下に変動するが,エンベロープは一定であった。ランダムに変動するビットのエンベロープが安定であることを以下のようにモデル化した。すなわち,セルの窒化物保持層に閉じ込められたトラップ電子の電荷が移動するというものである。高温ストレス下での信頼性を向上させる方策についても議論する。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *電圧変動 ,  キャリア捕獲 ,  焼成 ,  データ書込 ,  データ消去 ,  エンベロープ ,  モデリング
準シソーラス用語： 電荷トラッピング ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電荷トラッピング ,  不揮発性メモリ ,  しきい値電圧