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J-GLOBAL ID：201202267845024492   整理番号：12A0273543

SiCデバイスの温度依存特性:性能評価および損失計算

Temperature-Dependent Characteristics of SiC Devices: Performance Evaluation and Loss Calculation

著者 (4件)： JIANG Dong (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  BURGOS Rolando (ABB, Inc., NC, USA) ,  WANG Fei (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  BOROYEVICH Dushan (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27  号： 1-2  ページ： 1013-1024  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC半導体デバイスのSiデバイスと比較した大きな長所は,低損失性であり,他の特徴は,高温での良好な動作である。本論文では,電圧形コンバータ(VSC)におけるSIC接合型FET(JFET)の温度影響を考察した性能評価および損失計算を,特に逆平行ダイオードとしてのSiCショットキダイオード有りおよび無しのコンバータに対する性能および損失を比較して行った。SiC JFETベースコンバータの電力損失のモデリングを行った。SiC JFETドレイン-ソースおよびソース-ドレイン経路は正確には同じでなく,これを異なった温度での抵抗値の測定実験により検証した。この差異は高温で大きくなり,伝導損失計算で考察すべきであった。SiCJFETのボディダイオードは,PN接合として挙動し,逆回復をもち,逆平行ダイオードの無いJFETの転流は,大電流オーバシュートおよび高いスイッチング損失を示した。

シソーラス用語： *温度依存性 ,  損失 ,  半導体素子 ,  電力変換器 ,  接合形FET ,  *Schottky障壁ダイオード ,  ダイオード ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  PN接合 ,  転流【電気】 ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： JFET ,  Si ,  *SiC ,  コンバータ【電力】 ,  *電圧形コンバータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  温度依存 ,  性能評価 ,  損失 ,  計算