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J-GLOBAL ID：201202267862810477   整理番号：12A1032431

Al_xGa_1-xAs合金の電子構造の温度と静水圧の依存性

Temperature and hydrostatic pressure dependence of the electronic structure of Al _x Ga_1-x As alloys

著者 (2件)： DEGHEIDY Abdel Razik (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Mansoura Univ., PO Box 35516, Mansoura, Egypt) ,  ELKENANY Elkenany Brens (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Mansoura Univ., PO Box 35516, Mansoura, Egypt)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 5  ページ： 505-515  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 仮想結晶近似に有効不規則ポテンシャルを含めて,局所的経験的擬ポテンシャル法の範囲内で,Al_xGa_1-xAs合金の電子バンド構造を計算して研究した。温度・圧力依存の形状因子について,それぞれ単調に減少或いは増加する関数を得た。考察する合金のバンドギャップ,曲がりパラメータ,屈折率,及び誘電率等の物理量を,温度と静水圧の影響のもとで,種々のAl濃度に対して計算した。得た結果は,実験データと発表されたデータに良く一致することが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,  三元合金 ,  電子構造 ,  温度依存性 ,  静水圧 ,  圧力効果 ,  化合物半導体 ,  *半導体材料 ,  規則度
準シソーラス用語： 組成不規則性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  電子構造 ,  静水圧 ,  依存性