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J-GLOBAL ID：201202267878244218   整理番号：12A1123706

反応性マグネトロンスパッタリングにより調製したAlN_xO_y薄膜の電気特性

Electrical properties of AlN_xO_y thin films prepared by reactive magnetron sputtering

著者 (9件)： BORGES J. (Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT) ,  MARTIN N. (Inst. FEMTO-ST, Dep. MN2S, UMR 6174 (CNRS, UFC, ENSMM, UTBM) 32, Avenue de l’Observatoire 25044 BESANCON Cedex, FRA) ,  BARRADAS N.p. (Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT) ,  ALVES E. (Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT) ,  EYIDI D. (Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...) ,  BEAUFORT M.f. (Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...) ,  RIVIERE J.p. (Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...) ,  VAZ F. (Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT) ,  MARQUES L. (Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 21  ページ： 6709-6717  発行年： 2012年08月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムターゲット,アルゴン,反応ガスにN₂+O₂(17:3)の混合体を使って,直流マグネトロンスパッタリングを使って,Al_xO_y薄膜を作成した。反応ガス混合体の分圧を高くして,放電電流を一定に保った。同定したターゲットの2つの領域(金属性と化合物)内で,蒸着速度の4種類の異なる傾向が見られ,形態は柱状からカリフラワー型へ発展し,稠密で特徴がない型の膜で終わる。構造はA1型(面心立方晶)と分った。X線回折と透過型電子顕微鏡により行った構造の特性評価から,非晶質のアルミニウム酸化物/窒化物(あるいは酸窒化物)マトリックス中にアルミニウム系多結晶相が分散していると推測した。この種類の構造,組成,形態,及び結晶粒サイズは膜の電気応答と強く相関していることが分った。これは,半導性,そして絶縁性挙動へも向けた金属性型の応答の間で徐々に転移が起こることを示す。アルミニウム含有量が高い膜群から,濃度比の非金属/アルミニウム原子比が高くなると,抵抗の温度係数(TCR)が鋭く低下することが明らかになった。別の試料群からは,非金属含有量が次第に重要になったきたが,TCRの正値から負値へと滑らかな遷移が明らかになった。酸窒化物膜が特異な振る舞いを見せるか,あるいはアルミニウムに典型的な応答と対応する窒化物及び酸化物の応答との間の単に遷移であるのか試験するため,3元酸窒化物系の電気特性を,同じ条件下で調製したAlN_x及びAlO_y系と比較した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  窒素 ,  酸素 ,  結晶形態 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  非晶質 ,  アルミニウム ,  多結晶 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  窒化アルミニウム ,  酸化アルミニウム ,  温度係数
準シソーラス用語： PTCR【電気抵抗】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  調製 ,  薄膜 ,  電気特性