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J-GLOBAL ID：201202267881638090   整理番号：12A1237700

p-Si結晶表面の品質とBi-Si-Al表面障壁構造の特性における放射線誘起変化

Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures

著者 (7件)： PAVLYK B. V. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  SLOBODZYAN D. P. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  HRYPA A. S. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  LYS R. M. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  KUSHLYK M. O. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  SHYKORYAK J. A. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR) ,  DIDYK R. I. (Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 8  ページ： 993-997  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗率を変えながら(24と10Ωcm)p-Si上の表面障壁構造の電気的特性の放射線誘起変化を調べた結果を報告する。調べた試料の表面状態を原子間力顕微鏡により解析した。照射により構造欠陥の発展と太陽電池グレードシリコン(24Ωcm)ベースの構造に既に存在する格子欠陥の電荷状態の変化に至った。ピラミッド型の欠陥がp-Si:B表面層(ρ=24Ωcm)中に生じ,X線量子による照射の結果として部分的にその構造を変えた。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *障壁 ,  *ビスマス ,  *アルミニウム ,  *X線照射 ,  原子間力顕微鏡 ,  *格子欠陥 ,  角錐 ,  表層 ,  *放射線照射 ,  太陽電池 ,  電気的性質 ,  電気抵抗率 ,  表面

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si結晶 ,  Bi ,  Si ,  Al ,  障壁 ,  放射線 ,  誘起