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J-GLOBAL ID：201202268049112106   整理番号：12A1258080

非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすアニーリング雰囲気の影響

Effect of the Annealing Ambient on the Electrical Characteristics of the Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors

著者 (5件)： HUANG Yu-Chih (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Po-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Hau-Yuan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Shui-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHENG Huang-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 7  ページ： 5625-5630  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)に対する熱アニーリングの影響を異なる雰囲気ガス(窒素,酸素)のもとで系統的に調べた。a-IGZO TFTの化学結合状態とトランスファー特性はアニーリング雰囲気ガスに明確に依存することが分かった。250°Cで30分間の酸素雰囲気中アニーリングを施したa-IGZO TFTは最大の電界効果移動度(μ_EE=9.36cm²N・s)と6.12×10¹⁰のオン/オフ電流比を呈した。一方,窒素雰囲気中のアニーリングでは,最大μ_EEが0.18cm²N・sで,オン/オフ電流比は2.22×10⁴であった。この理由について論じた。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *キャリア移動度 ,  非晶質半導体 ,  酸化物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *焼なまし ,  雰囲気 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *電界効果移動度 ,  酸素雰囲気 ,  窒素雰囲気 ,  *IGZO【半導体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  トランジスタ ,  電気特性 ,  アニーリング ,  雰囲気