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J-GLOBAL ID：201202268143767914   整理番号：12A1053124

ポリシリコン フローティングゲートトランジスタに関する低温単一ショット分光法

Cryogenic single-shot spectroscopy of a floating poly-silicon gate transistor

著者 (3件)： TENORIO-PEARL J. O. (Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR) ,  MILNE W. I. (Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR) ,  HASKO D. G. (Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 014510-014510-5  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタのチャネル近傍にトラップされた電子は,非古典的情報処理におけるデータ貯蔵素子として有望である。低温マイクロ波分光法は,これらの電子が,ドレイン電流における高品質因子共鳴と,系の寿命に関連する後励起動的挙動とをもたらすことを示した。ポリシリコン フローティングゲートトランジスタを用いて,単一ショット分光測定を行い,励起の間における動的挙動の特性を調べた。この挙動は,過渡成分の減衰に支配され,それが,高品質因子共鳴の周囲での振動をもたらすことを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *トランジスタ ,  フローティングゲート ,  マイクロ波分光法 ,  低温 ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  因子
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  単一ショット分光法 ,  品質因子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリシリコン ,  フローティングゲート ,  トランジスタ ,  低温 ,  ショット ,  分光法