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J-GLOBAL ID：201202268593920208   整理番号：12A0295144

減少したゲート長のULSIセルにおける転位蓄積のシミュレーション

Simulation of Dislocation Accumulation in ULSI Cells of Reduced Gate Length

著者 (5件)： SATO Michihiro (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  OHASHI Tetsuya (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  AIKAWA Keisuke (Alps Electric Co., Ltd., Fukushima, JPN) ,  MARUIZUMI Takuya (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  KITAGAWA Isao (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 654/656  号： Pt.2  ページ： 1682-1685  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート長 ,  ULSI ,  セル ,  転位 ,  蓄積 ,  シミュレーション