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J-GLOBAL ID：201202268655912290   整理番号：12A0386972

単一半導性MgZnOナノロッドにおける励起子散乱機構

Exciton Scattering Mechanism in a Single Semiconducting MgZnO Nanorod

著者 (6件)： YOO Jinkyoung (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Jinkyoung (Los Alamos National Lab., New Mexico, USA) ,  DANG Le Si (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  CHON Bonghwan (POSTECH, Gyeongbuk, KOR) ,  JOO Taiha (POSTECH, Gyeongbuk, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 556-561  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体においてCoulomb力によって結合された水成電子ホール対である励起子は,代表的には材料のバンドギャップと正しく調和したエネルギーを持つ入射光によって生ずるが,励起子の諸現象は,多くの半導体デバイスに適用されてきた。ナノスケール材料の大きさが,半導体中の励起子の拡散長に近づくにつれて,励起子輸送の基礎的な理解が必須となってきた。ここでは,MgZnOナノロッド中の励起子拡散の温度依存性及び励起子散乱の支配的機構について報告する。温度が5Kから80Kに増加するにつれて励起子の拡散長,及びフォトルミネセンス寿命は減少した。

シソーラス用語： *半導体 ,  *金属酸化物 ,  *励起子 ,  ナノロッド ,  *散乱 ,  バンドギャップ ,  拡散距離 ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  マグネシウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ナノスケール ,  フォトルミネセンス ,  拡散長 ,  酸化マグネシウム亜鉛

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導性 ,  励起子 ,  散乱