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J-GLOBAL ID：201202268719800181   整理番号：12A0345299

MILC成長長さと電気特性における下層絶縁層の影響

Impacts of the Underlying Insulating Layers on the MILC Growth Length and Electrical Characteristics

著者 (4件)： LIAO Chia-Chun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Min-Chen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Shao-Xuan (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Tien-Sheng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 2  ページ： 239-241  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温結晶化技術としてMILCが研究されている。下地の絶縁材料がMILC成長に影響を与えることが知られている。本稿では,pチャネルTFTの電気特性やMILC成長層の長さにおける近接層の影響を検討した。低圧CVD,電子線蒸着,リフトオフプロセスなどを用いて,TFTデバイスを作製した。種々の下層絶縁層を用いて,異なるゲート酸化膜やスペーサの散乱や電荷捕捉の影響を取り除いた。種々の下層絶縁層を用いた。a-Siとバッファ層の界面でNi捕捉が起こる機構,引張応力が成長を促す機構と下層絶縁層からの水素拡散の3つの機構でMILC成長層の長さの近接層依存性を解析した。この結果により,3つの機構でMILC成長への影響を説明できることを示した。SiNはMILC成長を遅くし,閾値電圧と移動度が最も悪かった。

シソーラス用語： *結晶化 ,  絶縁材料 ,  薄膜トランジスタ ,  化学蒸着 ,  微細加工 ,  バッファ層 ,  酸化膜 ,  スペーサ ,  引張応力 ,  移動度 ,  *結晶成長 ,  *電気特性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  MILC ,  TFT【トランジスタ】 ,  ゲート酸化膜 ,  リフトオフ ,  水素拡散 ,  *絶縁層 ,  閾値電圧

分類 (1件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： MILC ,  成長 ,  電気特性 ,  下層 ,  絶縁層