文献

J-GLOBAL ID：201202268736859874   整理番号：12A1464307

化学的リフトオフリソグラフィーによる減算的パターン形成

Subtractive Patterning via Chemical Lift-Off Lithography

著者 (8件)： LIAO Wei-Ssu (Univ. California, CA, USA) ,  CHEUNKAR Sarawut (Univ. California, CA, USA) ,  CHEUNKAR Sarawut (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  CAO Huan H. (Univ. California, CA, USA) ,  BEDNAR Heidi R. (Univ. California, CA, USA) ,  WEISS Paul S. (Univ. California, CA, USA) ,  WEISS Paul S. (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  ANDREWS Anne M. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 337  号： 6101  ページ： 1517-1521  発行年： 2012年09月21日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子スタンプから基板への分子「インク」の移動を含む汎用的なソフトリソグラフィー法は,印刷時において移動分子の拡散が起こり,その結果,分解能がマイクロメータ程度で制限されることがしばしば見られる。本研究では従来のスタンプ過程とは異なる「減算的」パターン形成法を用い,ナノメータレベルの分解能を達成することができた。この方法ではシリコンゴムスタンプに酸素プラズマを一定のパターンで照射することにより活性化する方法を用いた。酸素プラズマ活性化表面は,金表面の自己組織化単分子層(SAM)からヒドロキシル終端アルカンチオールをそのパターンに忠実に選択的に除去することができる。スタンプ-基板界面で形成された共有結合相互作用は十分に強く,アルカンチオール分子だけでなく金原子も基板から除去される。この方法を用い,基板表面に高分解能パターンを形成することができた。また,使用したスタンプは清浄化した後,再利用することが可能である。リフトオフ領域を単分子層で埋め戻すことにより,蛋白質パターン化が可能であり,この方法を用い40nmの化学的パターンを形成することができた。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  微細加工 ,  *パターン形成 ,  プラズマ ,  *単分子層 ,  表面改質
準シソーラス用語： *ソフトリソグラフィー ,  リフトオフ法 ,  酸素プラズマ ,  *自己組織化単分子層

分類 (2件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学 ,  減算 ,  パターン形成