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J-GLOBAL ID：201202268982972396   整理番号：12A1367515

透過スペクトルから半導体のバンドギャップエネルギーの温度依存の決定

Determination of the Temperature Dependence of the Band Gap Energy of Semiconductors from Transmission Spectra

著者 (5件)： WEI Jean (UES, 4401 Dayton-Xenia Rd, 45432-1894, Dayton, OH, USA) ,  MURRAY Joel M. (UES, 4401 Dayton-Xenia Rd, 45432-1894, Dayton, OH, USA) ,  BARNES Jacob (UES, 4401 Dayton-Xenia Rd, 45432-1894, Dayton, OH, USA) ,  GONZALEZ Leonel P. (Air Force Res. Lab., 45433-7707, Wright-Patterson AFB, OH, USA) ,  GUHA Shekhar (Air Force Res. Lab., 45433-7707, Wright-Patterson AFB, OH, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2857-2866  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 測定した半導体の透過スペクトルから半導体のバンドギャップエネルギーの温度依存Eg(T)を決定する方法を述べた。バンドギャップエネルギーとスペクトルの導関数のピークに対応するエネルギーとの間の関係をInAsについて見つけ,III-VおよびII-VIのバイナリー半導体(InAs,InP,GaAs,GaP,ZnSeおよびCdTe)に関して検証した。この方法を用いて得たバンドギャップエネルギーは80Kから650Kの温度範囲にわたって以前に公表された結果と1%以内にある。同じ方法をまたいくつかの構成のために,2つのバルク三元半導体合金(In_xGa_1-xAsとInAs_1-yP_y)に適用した。予測結果を文献で利用可能な薄膜測定値とよく比較した。厚み依存透過スペクトルを用いたEgを決定するための別の技術をまた報告した。最後に,温度(dEg/dT)に対するバンドギャップエネルギーの導関数を用いて熱光学係数(dn/dT)を決定し,直接の実験測定結果と比較した。Copyright 2012 TMS (outside the USA) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スペクトル ,  化合物半導体 ,  エネルギー ,  *温度依存性 ,  導関数 ,  三元合金 ,  熱光学効果 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  リン化ガリウム ,  セレン化亜鉛 ,  テルル化カドミウム ,  依存性
準シソーラス用語： CdTe ,  GaAs ,  GaP ,  III-V族半導体 ,  II-VI族半導体 ,  InAs ,  InGaAs ,  InP ,  ZnSe ,  *バンドギャップエネルギー ,  *光透過スペクトル ,  厚み依存性

分類 (3件)： ラジオ波・マイクロ波・赤外スペクトル  (BH03020N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  その他の光学的効果  (BM08040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 透過スペクトル ,  バンドギャップエネルギー ,  温度依存